场效应管和MOS管区别?一问全解析
在半导体器件领域,场效应管(FET)与 MOS 管(MOSFET)是两类高频出现且易被混淆的元件。二者并非对立关系...
日期:2025-09-09
如何识别MOS管符号和箭头?
在电子电路设计与分析中,金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOS 管)是一种极为重要的电子元件。准确识...
日期:2025-08-08
pmos管工作原理及详解
PMOS管工作原理及详解PMOS管(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,P沟道金属氧...
日期:2025-07-07
P沟道MOS管导通条件详解
一、核心导通原理P沟道MOS管(PMOS)的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS ...
日期:2025-06-25
pmos管的工作原理
PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管是一种常见的场效应晶体管(FET),其工作原理如下: PM...
日期:2024-05-20
什么是MOS管?NMOS、PMOS和三极管的区别
MOS管是一种场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET),其名称源自金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Sem...
日期:2024-04-30
MOS管的四种类型
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟...
日期:2024-02-20
开关电源MOS管的工作损耗计算
耗计算式计算: × RDS(on) × K × 截止损耗计算: × IDSS ×( 1-Don ) 会依 VDS(off) 变...
日期:2023-06-15
如何在电源上选择MOS管
在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电...
日期:2023-06-15
MOS管损耗的8个组成部分
MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算...
日期:2023-06-12
MOS管被击穿的原因及解决方案
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(in...
日期:2023-05-24
4个方面了解MOS管
01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共...
日期:2023-05-22
功率MOS管损坏的典型
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿...
日期:2023-05-17
细说MOS管的静电击穿
其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电...
日期:2023-05-16
功率MOS管损坏的典型案例
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿...
日期:2023-05-10
电源工程师必须要了解的MOS管GS波形
对于咱们电源工程师来讲,很多时候都在波形,看输入波形,MOS开关波形,电流波形,输出二极管波形,芯片波...
日期:2023-05-08
详解MOS管的20种参数
最大额定参数最大额定参数,所有数值取得条件:(Ta=25℃)1、VDSS 最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(...
日期:2023-04-24
三极管和MOS管的正确应用
1、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三...
日期:2023-04-19
MOS管功率损耗竟然还可以这么测
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的...
日期:2023-04-18
MOS管漏电流的6大原因
在讨论MOS晶体管时,短沟道器件中基本上有六种漏电流成分:反向偏置-pn结漏电流亚阈值漏电流漏极引起的势垒...
日期:2023-04-11
详解:MOS管和IGBT的区别
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也...
日期:2023-02-24
搞懂MOS管,你不得不知道的米勒效应
一、认识米勒电容 如图,MOS管内部有寄生电容Cgs,Cgd,Cds。因为寄生电容的存在,所以给栅极电压的过程...
日期:2023-01-05
为什么MOS管要并联个二极管?MOS管并联二极管的作用?
MOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻译过来是金属-氧化...
日期:2023-01-03
三极管和MOS管下拉电阻的作用
简单讲解一下三极管,如果三极管工作在饱和区(完全导通),Rce≈0,Vce≈0.3V,且这...
日期:2022-12-27
MOS管输入电阻很高
一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了? MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而...
日期:2022-12-20
MOS管自举电容工作原理
自举电路 自举电路也叫升压电路,是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源...
日期:2022-12-16
MOS管老炸,是否是驱动问题?
三端双向可控硅(triacs)是用于交流应用的开关,坚固耐用并且易于操作,因此从咖啡机到...
日期:2022-12-12
数字源表如何测试MOS管电性能
MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见...
日期:2022-12-09
MOS管栅极电阻的功耗该如何计算?
问题起源 最近就有一个小伙伴在我的视频下留言。 因为这个视频里面有讲MO...
日期:2022-11-09
干货 MOS管损坏之谜
第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据...
日期:2022-08-22