FPGA学习系列：内存128M的flash芯片设计
FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一...
日期：2018-09-14
意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128
意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储...
日期：2007-12-19
意法新款128Mb串行闪存广泛应用于PC、消费类产品
意法半导体(ST)日前推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码...
日期：2007-12-12
ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用
意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的...
日期：2007-12-12
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-12-12
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRS...
日期：2007-12-07
ST推出采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存
闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一...
日期：2007-12-04
ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存
意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128MbNAND闪存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片...
日期：2007-12-04
Spansion发布128Mb MirrorBit SPI闪存
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天发布了具有业界最高性能的128MbSPI（串行外设...
日期：2007-11-29
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-11-23
Agilent示波器实现128M点的存储深度
Agilent公司发布适用于Infiniium54830系列数字存储示波器和混合信号示波器的超级深存储器选件，从而使该系...
日期：2007-10-23
HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块及其应用
摘???要：本文首先从应用角度阐述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块(LCM)的组成和...
日期：2007-10-19
MC9S12DJ128MFUE的技术参数
产品型号:MC9S12DJ128MFUE工作电压(V):5Flash(字节):128KRAM(字节):8KEEPROM(字节):2定时器:8×16bitIC,OC,...
日期：2007-04-18
HY-240128M-201液晶显示模块及其应用
摘 要：本文首先从应用角度阐述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201图形点阵式液晶显示模块(LCM)的组成和...
日期：2006-09-29
