ST推出采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存

　　闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒(STB)、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-Mbit NAND闪存。 

　　新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W3A2BN6E是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256-Mbit和512-Mbit的NAND闪存(均有3V和1.8V两个版本)也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 

　　NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的NAND接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高(或更低)密度的改进系统。 

　　ST提供的软件工具套件支持快速的产品开发，能够延长存储器芯片的使用寿命。工具包括纠错代码(ECC)软件、坏块管理(BBM)、平均读写算法、文件系统OS本机参考软件和硬件仿真模型。坏块管理能够发现并更换一个读写失败的区块，将数据复制到一个有效的区块内；平均读写算法通过在所有的区块上分配擦写操作实现优化器件的老化问题。 

　　新的闪存芯片由1024个标称16字节的区块组成，每个区块又分成512字节的页面，每页还有16个备用字节，同时每个页面均可执行读取与编程操作。备用字节用于纠错、软件卷标或坏块识别。备份编程(Copy Back Program)模式能给储存在某一个页面的数据编程，然后将编程数据直接转存到另一个页面上，而无需额外的缓存。当页面编程操作因一个损坏区块而失败时，这个功能特别有用。新器件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2ms。每个区块的耐擦写能力为100,000次，数据保存期限为10年。 

　　新器件还包含“无需介意芯片激活”功能，可简化微控制器的接口设计，同时能简化NAND闪存与NOR闪存、SRAM等内存的整合过程。另外，制造商在器件出厂前可以设定一个的器件ID序列号，用户利用一个用户可编程序列号可以提高目标应用的安全功能。 

　　NAND128W3A2BN6E已开始量产，价格区间在4美元到4.5美元之间，封装为TSOP48无铅封装，工作温度范围-40到+85摄氏度。