功率MOSFET的参数那么多，实际应用中该怎么选？
功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据...
日期：2019-11-01
同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)...
日期：2019-10-30
MOSFET的击穿有哪几种？如何处理MOS管小电流发热？
MOSFET的击穿有哪几种？ Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅...
日期：2019-10-16
MOSFET Qrr——在追求能效时，忽视这一参数是危险的
在为许多类型的消费和工业应用设计电源时，效率往往是最重要的因素，这些应用包括手机...
日期：2019-09-11
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 ...
日期：2019-08-13
电源系统开关控制器的 MOSFET
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首...
日期：2019-08-09
电源设计DC/DC开关控制器的MOSFET选择
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流...
日期：2019-08-08
MOSFET四步选型+应用案例解析
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。 MOSFET的优势在于...
日期：2019-08-08
开关电源的 MOSFET 选择
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流...
日期：2019-08-07
ST - 在LLC拓扑中，为什么选用体二极管恢复快的MOSFET
在当前能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的...
日期：2019-07-24
一文详解MOSFET驱动技术
MOSFET简介 ■MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transisto...
日期：2019-07-23
为什么MOSFET是自动平衡超级电容器泄漏的选择
MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压，平衡电路的功耗，并可以根据温度、时间和环境...
日期：2019-06-25
MOSFET中的电容计算
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步...
日期：2019-06-19
处理MOSFET非线性电容
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步...
日期：2019-06-14
菜鸟选择MOSFET的四步骤！
一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的页，因为“实用”的信息只在第二页以...
日期：2019-06-10
在LLC拓扑中，选择体二极管恢复快的MOSFET的原因是什么
在当前能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的...
日期：2019-06-04
MOSFET与IGBT的本质区别
1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率...
日期：2019-05-28
Power Integrations发布集成了900V MOSFET的
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司（纳斯达克股票代号POWI）今日发布...
日期：2019-05-13
如何选择MOSFET——电机控制
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项，首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是3...
日期：2019-05-05
基于SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器设计案例（2）
下方电路图是从整个电路图中摘录的输入部分的电路。输入端的输入电容需要C2、C3、C4这...
日期：2019-04-24
使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例（1）
首先，来确认过负载保护点切换设置电阻R20在电路上的位置。这个电路图是从整个电路图...
日期：2019-04-24
意法半导体的40V功率MOSFET可显著提高汽车安全性
摘要 意法半导体的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安...
日期：2019-04-01
Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET...
日期：2019-03-14
Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-...
日期：2019-03-11
ST - 稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性
意法半导体的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系...
日期：2019-03-08
ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面...
日期：2019-03-08
10步法则教你MOSFET选型
俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择...
日期：2019-03-08
ower Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器
CALE-iDriver? —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出...
日期：2019-03-06
MOSFET管的安全工作区
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电...
日期：2019-02-27
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率
推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用D...
日期：2019-02-18
