三极管和MOSFET选型规范
1. 三极管和MOSFET器件选型原则 1.1 三极管及MOSFET分类简介 类型 类型细分 应用场景 ...
日期:2021-07-20
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
电池供电的便携设备越来越多,在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于...
日期:2021-07-05
N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型...
日期:2021-05-27
浅谈汽车级光伏驱动器和分立MOSFET
工程师已经研究和开发了可以代替机械继电器的固态继电器设备。与机械继电器相比,这些固态继电器具有更高的...
日期:2021-05-26
Toshiba - 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成 开发的双通道碳化硅(Si...
日期:2021-05-18
MOSFET逆变器和IGBT逆变器电路图对比
太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下,太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能,输出的直流...
日期:2021-04-29
MOSFET与三极管在ON状态下的区别
MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管,他能够...
日期:2021-04-25
SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案
碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备(特别是大功率转换器应用)中替...
日期:2021-04-22
绝缘型反激式转换器电路设计之主要部件的选定-MOSFET相关(二)
在“主要部件的选定-MOSFET相关 其1”中选定MOSFET Q1,接下来将建构MOSFET外围的电...
日期:2021-04-21
绝缘型反激式转换器电路设计之主要部件的选定-MOSFET相关(一)
变压器的设计结束,接下来是开关元件,本节说明MOSFET Q1的选定和相关电路构成。 ...
日期:2021-04-21
如何用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器?
摘要 随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用,更好的电流控制成为一种趋势。而...
日期:2021-04-20
MOSFET 栅极100欧电阻的作用是什么
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗? 只要问任何经验丰富的...
日期:2021-04-10
Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度
器件采用欧翼引线结构PowerPAK?SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101 宾夕法尼亚、MALVERN—202...
日期:2021-04-07
采用智能型集成MOSFET驱动器增加数字电源控制器的性能可靠性
在电源系统中,MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号...
日期:2021-03-05
开关控制器MOSFET的选择方法
DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MO...
日期:2020-07-31
使用碳化硅 MOSFET 提升工业驱动器的能源效率
由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量...
日期:2020-07-09
ST - 使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率
摘要 由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须...
日期:2020-07-03
耗尽型MOSFET适用于在没有电源的情况下传导高保真信号
所谓的增强还是耗尽,主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下,反型层不存在,...
日期:2020-05-25
英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析
2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性...
日期:2020-05-20
英飞凌推出采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET,瞄准电池供电应用
英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品阵容,推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件...
日期:2020-05-14
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的超结MOSFET性能
为满足电动汽车市场的需求,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新产品系列:CoolMOS? ...
日期:2020-05-11
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)
解决电源电路中电容器课题的新技术登场! 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新...
日期:2020-04-23
破解MOSFET数据表(五)——开关参数
我们来到了这个试图破解功率 MOSFET 数据表的“看懂 MOSFET 数据表”博客系列的收尾部...
日期:2020-04-07
系统中的负载开关在哪里?何时取代分立MOSFET?
道用电之前,人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式,但灯泡的发...
日期:2020-03-25
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动...
日期:2020-03-12
TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极...
日期:2020-03-12
Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧...
日期:2020-03-10
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电...
日期:2020-01-13
ST - SiCMOSFET在汽车和电源应用中优势显著
传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSF...
日期:2019-12-06
为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗? 只要问任何经验丰富的...
日期:2019-11-18