自举升压原理：H 桥四个 MOS 管都为 N 沟道，其导通条件为 Vgs > 0。当高边 AHO 导通时，Q12 的 S 极为 12V，此时 MOS 管无法导通。因此需要自举升压电路，将 G 极电压升高，从而使 MOS 管完全导通。
一、原理图分享
四、注意事项
由于 4082 和 MOS 都采用 12V 电压供电，PWM 占空比不能为 100%。当占空比为 100% 时，自举升压电路无法工作，会导致 MOS 管不能完全导通，进而使 MOS 管温度升高甚至烧毁。在实际应用中，必须严格控制 PWM 占空比，以确保电路的稳定运行和 MOS 管的安全。免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
