MOSFET 继电器开关操作与上面看到的双极结型晶体管 (BJT) 开关操作非常相似，并且之前的任何电路都可以使用 MOSFET 来实现。然而，MOSFET 电路的操作存在一些主要差异，主要是 MOSFET 是电压操作器件，并且由于栅极与漏源通道电隔离，因此它们具有非常高的输入阻抗，因此栅极电流对于 MOSFET 来说为零，因此不需要基极电阻。

　　MOSFET 通过导电沟道进行导电，沟道初是关闭的，晶体管“关闭”。随着施加到栅极端子的电压缓慢增加，该沟道的导电宽度逐渐增加。换句话说，随着栅极电压的增加，晶体管通过增强沟道来工作，因此这种类型的 MOSFET 被称为增强型 MOSFET 或 E-MOSFET。
　　N 沟道增强型 MOSFET (NMOS) 是常用的 MOSFET 类型，因为栅极端子上的正电压会将 MOSFET 切换为“ON”，栅极端子上的零电压或负电压会将其切换为“OFF”，非常适合用作 MOSFET 继电器转变。还提供互补 P 沟道增强型 MOSFET，与 PNP BJT 一样，它们可以在相反的电压下工作。
　　N 沟道 MOSFET 配置　　n沟道MOSFET继电器开关电路

　　上述MOSFET继电器开关电路采用共源配置连接。在零电压输入、低电平条件、 V GS值的情况下，没有足够的栅极驱动来打开通道，并且晶体管处于“关闭”状态。但是，当V GS增加到 MOSFET 下阈值电压V T以上时，通道打开，电流流动并且继电器线圈工作。
　　然后，增强型 MOSFET 作为常开开关运行，非常适合开关继电器等小负载。E 型 MOSFET 具有较高的“关断”电阻，但具有中等的“导通”电阻（适合大多数应用），因此在为特定开关应用选择 E 型 MOSFET 时，需要考虑其R DS值。
　　P沟道MOSFET继电器开关电路
　　P 沟道增强型 MOSFET (PMOS) 的构造与 N 沟道增强型 MOSFET 相同，只是它仅在负栅极电压下工作。换句话说，P 沟道 MOSFET 以相同的方式工作，但极性相反，因为栅极必须比源极更负，才能通过如图所示的正向偏置来“导通”晶体管。
　　P沟道MOSFET继电器开关电路
　　p沟道电路
　　在此配置中，P 沟道源极端子连接到+Vdd，漏极端子通过继电器线圈连接到地。当高电压电平施加到栅极时，P 沟道 MOSFET 将“截止”。关闭的 E-MOSFET 将具有非常高的沟道电阻，并且几乎像开路一样工作。
　　当低电压电平施加到栅极时，P 沟道 MOSFET 将“导通”。这将导致电流流过操作继电器线圈的 e-MOSFET 通道的低电阻路径。N 沟道和 P 沟道 e-MOSFET 均可构成出色的低压继电器开关电路，并且可以轻松连接到各种数字逻辑门和微处理器应用。