vcc和vdd的区别

一、术语起源与定义

1. VCC (Voltage Common Collector)

   • 源自双极型晶体管（BJT）电路，表示集电极公共电源电压

   • 传统定义：BJT正电源引脚（如74系列TTL芯片）

2. VDD (Voltage Drain Drain)

   • 源自场效应管（MOSFET）电路，表示漏极公共电源电压

   • 现代定义：MOS器件正电源（如CMOS芯片、MCU）

二、典型应用场景对比

三、技术特性差异

1. 电流特性

   • VCC：毫安级静态电流（BJT基极电流不可忽略）

   • VDD：微安级漏电流（MOSFET栅极绝缘）

2. 噪声敏感度

   • VCC：需考虑β值变化带来的波动

   • VDD：更关注栅极耦合噪声（需加强去耦）

3. 电平标准

   类型	VCC（TTL）	VDD（CMOS）
   逻辑高	≥2.4V	0.7×VDD
   逻辑低	≤0.8V	0.3×VDD

四、PCB设计规范

1. 符号标注标准

   • 模拟电路：常用VCC/VDD区分数字/模拟电源

   • 混合系统：

     AVDD - 模拟电源  
     DVDD - 数字电源  
     VCC  - 外设驱动电源

2. 去耦电容配置

   • VCC：每芯片100nF+10μF电解电容

   • VDD：每电源引脚100nF+1μF MLCC

3. 多层板布线

   电源类型	推荐层	线宽（1oz铜）
   VCC	内电层（3.3V）	0.3mm/1A
   VDD	表层（短路径）	0.2mm/0.5A

五、常见混淆场景

1. 混合工艺芯片

   • 如DS1302（VCC=5V供电，但内部为CMOS结构）

2. 历史遗留标注

   • 某些CMOS芯片仍沿用VCC符号（实际应接VDD电压）

六、电压转换方案

1. VCC→VDD

   • 使用LDO（如AMS1117-3.3）从5V降压至3.3V

2. VDD→VCC

   • 电平转换芯片（如TXB0108）实现3.3V→5V信号转换