图1.PN结耗尽区。
图2.用于测量Cm的步骤1设置
图3.用于测量Cm的步骤1设置
图4.Scopy屏幕截图。
我们选择让C1远大于Cstray,这样可以在计算中忽略Cstray,但是计算得出的值仍与未知的Cm相近。
在电子表格程序中打开保存的数据文件,滚动至接近高频(》1 MHz)数据的末尾部分,其衰减电平基本是平坦的。记录幅度值为GHF1(单位:dB)。在已知GHF1和C1的情况下,我们可以使用以下公式计算Cm。记下Cm值,在下一步测量各种二极管PN结的电容时,我们需要用到这个值。
步骤2
现在,我们将在各种反向偏置条件下,测量ADALM2000模拟套件中各种二极管的电容。在无焊面包板上,按照图4和图5所示构建测试设置。只需要使用D1(1N4001)替换C1。插入二极管,确保极性正确,这样AWG1中的正偏置将使二极管反向偏置。
实验:PN结电容与电压的关系
硬件设置
实验:PN结电容与电压的关系
使用Scopy软件中的网络分析仪工具获取表1中各AWG 1 DC偏置值时增益(衰减)与频率(5 kHz至10 MHz)的关系图。将每次扫描的数据导出到不同的.csv文件。
程序步骤
在表1剩余的部分,填入各偏置电压值的GHF值,然后使用Cm值和步骤1中的公式来计算Cdiode的值。
使用ADALM2000套件中的1N3064二极管替换1N4001二极管,然后重复对个二极管执行的扫描步骤。将测量数据和计算得出的Cdiode值填入另一个表。与1N4001二极管的值相比,1N3064的值有何不同?您应该附上您测量的各二极管的电容与反向偏置电压图表。
然后,使用ADALM2000套件中的一个1N914二极管,替换1N3064二极管。然后,重复您刚对其他二极管执行的相同扫描步骤。将测量数据和计算得出的Cdiode值填入另一个表。与1N4001和1N3064二极管的值相比,1N914的值有何不同?
您测量的1N914二极管的电容应该远小于其他两个二极管的电容。该值可能非常小,几乎与Cstray的值相当。
额外加分的测量
发光二极管或LED也是PN结。它们是由硅以外的材料制成的,所以它们的导通电压与普通二极管有很大不同。但是,它们仍然具有耗尽层和电容。为了获得额外加分,请和测量普通二极管一样,测量ADALM2000模拟器套件中的红色、黄色和绿色LED。在测试设置中插入LED,确保极性正确,以便实现反向偏置。如果操作有误,LED有时可能会亮起。
问题
使用步骤1中的公式、C1的值以及图4中的图,计算示波器输入电容Cm。
您可以在学子专区博客上找到问题答案。
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