IR全新1200V IGBT为电机驱动应用提升功率密度和效率

　　国际整流器公司 （IR） 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 （UPS） 应用进行了优化。

　　全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 （Qrr） 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce（on） 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”

　　这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE（on） 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE（on）。新器件还可提供裸片形式。

　　规格

　　采用封装形式

　　采用裸片形式

　　相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS）。