前讯系统推出512Mb NAND型闪存

时间:2008-06-02

  前讯系统公司宣布推出512Mbit(64MByte)NAND型闪存,将委由力晶半导体代工,预计于7月起开始小量生产,从今年9月起即可量产出货。

  前讯公司表示,此次推出的两款产品AC79LV512B与 AC79LV512W,其存储区架构分别为64Mb ×8以及32Mb×16。该产品总共有4096个标准块,每一标准块含32页,AC79LV512W每页包含528字节,而AC79LV512B每页含264字组。其电压超作范围为2.7V至3.6V,并提供纠错码(ECC)、以及标准块在读写中发生错误时以其它完好的标准块替换(Block Replacement)之功能。

  在各类消费性电子产品,如MP3播放器、闪存盘、数码像机等均对NAND闪存有庞大需求的同时,前讯系统公司跨入此一市场,企图希望能在三星、东芝等大厂之外,为客户提供另一种选择。

  根据前讯系统提供的资料指出,该公司系采用全新的分散闸闪存技术,并以0.15微米工艺技术成功应用于此一高密度512Mb NAND型闪存。其分散闸技术使用三层复晶硅(Triple Poly),并用第三层复晶硅形成紧临记忆细胞的选择闸。

  重复此一单元结构衍生之NAND架构与市场上主流结构堆栈闸NAND比较,前讯系统具有较小的单位NAND面积、较低之抹除与写入操作高电压(前讯仅需12V、而堆栈闸NAND需18~20V)、以及较小之高电压藕合需求等优点。此外,由于采用不同的物理机制,前讯系统之分散闸技术可以较快的速度进行资料抹除与写入操作,此一优势在系统应用上可减少操作间等待时间、提升使用效率。



  
上一篇:LATTICE推出一系列基于FPGA的完整设计方案
下一篇:WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料