下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是Am29F010A的读操作的时序图，表是时序规定。与前所概述的内容相比较，在时序图当中，作为基点的电压存在两处，比概略图具有更多的时间规定。
图 Am29F010A的读操作时序
表 时序规定
两处的电压基点表示如果低于下面的基点则为低电平，如果高于上面的基点则为高电平。处于两者之间的电压则根据器件的特性及其他，或者识别为高电平，或者识别为低电平。具体的电压将在后面的说明（DC规定）中出现。
通常在波形下降阶段碴处在下方的基点表示起始于确定了低电平那个时刻；而上方的基点则表示不能认为是高电平的那个时刻（根据器件，有时候也认为是可以识别为低电平的那个时刻）。一般情况下，时序规定都尽可能地严格。
现在，我们对上图中出现的tRC、tOEH、tOH、tDF4个参数加以说明。
tRC（读周期时间）
这是确定（稳定）地址的时间。通过数据手册我们了解到，由于该时间与tACC（从地址到数据输出的时间）是同一的，所以采用通常的方法一般不会出现问题。
tOEH（输出使能保持时间）
这是在刚进行完写操作的情况下，从WE成为高电平开始到OE成为低电平之间的时间规定。由于在数据手册上为0ns，所以可以解释为只要WE和OE不同时为低电平即可。
tOH（输出保持时间）
在OE信号恢复为高电平后，只要进行严格的测定，就可测出DQ输出仍在持续进行。从OE不是低电平开始到DQ不再输出正确的数据这一段时间就是tOH。由于Am29F010A的这个时间为0，所以一旦OE变成高电平，则就不可再相信数据的准确性。
在存储器存取时间较长的情况下，利用该参数，在读取数据之前，先将OE恢复为高电平来争取时间，这样的设计事例曾经出现过。但实践证明放弃这样的做法才是明智的。
tDF（从CE／OE到输出高阻抗）
CE或者OE成为高电平之后．闪速存储器的DQ输出完全成为高阻抗所需要的时间就是tDF。因为这一时刻中闪速存储器可能会持续输出某些数据,所以，如果此刻其他的驱动器以及缓冲器被启动，则可能会发生数据冲突。在缓冲器的方向控制方面，如果是在OE与缓冲器的方向控制等同时进行的电路中，则需要对缓冲器的切换时间是否过早进行判断。
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