NOR闪速存储器的写周期的概要

　　写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以OE保持高电平，由主机方面赋予数据（DQ0～DQ1）。

　　图 闪速存储器的写操作

　　当WE和CE双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后，在任何一方上升为高电平阶段（由低电平到高电平的变化中），数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制；通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多，所以图示的也是WE写控制的过程。
 
　　写操作时必须要注意的是地址及数据等各信号的建立时间。进行读操作时，只要等待地址、CE、OE确定．从目的地址中就可以发出数据，因此对于确定的顺序就没什么必要给予注意。但是在写操作的情况下，如果不考虑地址、数据以及控制信号的时序，将会发生写人到错误的地址中或者没有正确接收数据的情况。
 
　　需要特别注意的是建立时间。如图所示，既需要在WE下降之前确定CE及地址，又需要在WE上升的一定时间之前确定数据。
 
　　详细的数值我们以后再进行说明。例如Am29F010-55的地址及CE的建立时间（分别为tAs、tCS）都为0。建立时间为0可能有些难以理解，解释为关键不能为负数可能比较容易理解。如果“的建立时间为负，即面是在以后成为低电平的，这样就变成了面写控制。所以说，WE写控制的值为0是理所当然的。
 
　　数据在WE上升之前被确定，Am29F010-55需要20ns（tDS）。也就是说。在WE上升至少20ns之前，数据就必须被确定。

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