EUV蚀刻技术使线宽达30nm
款利用远紫外线(extreme ultra vio-let EUV)蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备
原型机近日在美国问世。这个命名为：“工程试验支架”(ETS)的原型机是由美国能源部下属的3个实验室和EUV LLC的半导体企业联盟共同开发的。
目前芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术，而且已有很多芯片制造商转向0．131xm的芯片制造工艺，但这种深度紫外线蚀刻工艺在理论上仅能使印刷电路的尺寸为0．11xm，当印刷电路的线宽达到0．1 1xm时，摩尔定律就会遭遇瓶颈，估计INTEL和AMD等芯片制造商到2004年或2005年就会碰到这种障碍，无法再生产更快速的芯片。这就是说，如果芯片厂商要突破这一障碍，势必需要新的蚀刻技术。
EUV LLC企业经理Chris Philippi说：“传统蚀刻技术前头有一堵墙挡道，而EUV正是让我们能继续依循摩尔定律的重大技术突破。随着线宽的缩小，用于光蚀刻过程的光波波长也必须缩短。目前普遍采用的深度紫外线的波长为248nm，相比之下，EUV使用的波长为13nm，而这种光刻技术能够使印制电路的线宽达0．03μm，从而使当今半导体业继续保持现有的创新加速度至2010年。”
跨国厂商联手开发线宽为90~32nm技术
法意合资ST微电子、美国摩托罗拉、荷兰飞利浦三大公司决定共同投资，在法国联合开发新一代半导体，旨在为成千上万种电子产品提供性能更好、价格更低廉的半导体芯片。
三大巨头在联合新闻公报中说，三大公司将在位于法国东南部的伊泽尔建设一个研究开发中
心，目的是在300am硅片上开发出线宽为90~32am的技术，即开发在一个集成电路上可容纳4亿个晶体管的半导体技术。•这项研究成功后，将在大大提高半导体芯片性能的同时，进一步降低生产成本。
这项微电子研究开发计划将耗资24．6亿美元，并分两期进行，2005年以前为研究阶段，2005—2007年为工业开发阶段。
法国政府表示，这是10多年来在法国本土进行的规模的工业投资，不但将给法国创造
1500个直接就业和4500个间接就业机会，而且将使法国和整个欧洲在半导体工业生产领域位居世界首位。
本文摘自《半导体技术》
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