硅片亲水处理前要进行化学清洗，亲水处理必须满足三个基本提条件：（1）亲水处理溶液具有氧化作用，使硅片表面生成本征氧化层形成羟基。（2）亲水处理溶液对硅片表面没有腐蚀作用。（3）亲水处理溶液对硅片表面去污能力强。硅片键合常用的氧化性亲水处理溶液有H2SO4/H2O2、NH4OH/H2O2，HNO3/H2O2以及HF/H2O2 等。对于H2 SO4 、NH4OH、HNO3而言，它们不仅能除去硅片表面沾污的金属原子（如Cu、Fe）、灰尘，有机物等，同时还都能使硅表面形成SiOx过渡层，从而获得预键合必需的Si-OH结构，反应式分别如下。
对于H2 SO4/H2O2:
Cu + 2H2 SO4 →CuSO4 + SO2 + 2H2O （2.21）
H2O2 →H2O + [O] Si + X[O] →SiOx （2.22）
对于HNO3/H2O2:
3Cu + 8HNO3 (稀) →3Cu(NO3) 2 + 2NO + 4H2O （2.23）
3Si + 4HNO3 (稀) →3SiOx + 4NO + 2H2O （2.24）
对于NH4OH/H2O2:
Cu + H2O2 + 4NH3 →[Cu(NH3) 4 ] (OH) 2 （2.25）
Si + H2O2 →SiOx + 2H2O （2.26）
值得注意的是HF清洗液，在硅工艺中它经常用作腐蚀剂。它对硅片表面的处理一般是疏水性的，即不可能形成SiOx过渡层。实际上，经常用HF漂去硅表面自然氧化层，方程为
Si - O -Si + HF→ F-Si + Si-OH （2.27）
由此可见:HF有漂去SiOx过渡层作用,不会形成亲水硅表面而是疏
水表[22 ]，在键合制备功率器件衬底材料时常用疏水处理。
硅片的亲水性常用水滴在硅片表面形成的接触角θ表示。在固、液、气三相交界处，自固/液界面经过水滴内部到气/液界面的夹角叫接触角，接触角的大小是硅片表面亲水性强弱的表征。平衡接触角与固/气、固/液、液/气界面自由能之间满足
Yong方程
（2.28）
根据亲水的基本条件（A > 0），接触角满足cos@=0,@<=90 ，时硅片才能满足亲水性的要求，rSG - rS差越大，接触角就越小，硅片的亲水性就越强。NH4OH/H2O2处理后的硅片表面水滴的接触角，为5o，H2 SO4/H2O2处理次之，为8o，HNO3/H2O2处理的接触角，为55o，所以现在一般用NH4OH/H2O2溶液，并且形成了系列的配比，常用的有RCA1溶液和改进的RCA2溶液。
