si键合空洞的检测

键合面积是衡量键合好坏的一项重要的技术指标，在预键合和高温退火后键合界面有时会存在一些空洞。空洞对键合成功存在很大的影响，如果这些空洞没有被及时发现，将给后道工序带来严重的问题，并降低成品率。不仅使该部分不能作为器件的工作区（如P-N或N^--N⁺键合），而且会在制作器件的后序工艺中导致该部分两键合片的分离（如键合SOI）。因此，对键合硅片进行键合工艺检测是必要的，而且是工艺过程的一种重要的监测手段。目前，一般采用的非破坏性检测空洞的方法主要有三种：x射线拓扑测量（XRT）、反射超声波图像和红外透射（IR）图像。x射线拓扑测量（XRT）的分辨率较高，但所检测的面积较小，对整个硅片极性检测的时间较长。超声波图像分辨率高，但也存在时间长等缺点。红外透射（IR）图像是一种常用的空洞检测手段，就有结构简单，操作方便，成像时间短，适合于实时检测，但是分辨率较低，对于杂质浓度很高的硅片无法透过等缺点。