(1.西安理工大学晶体生长设备研究所,陕西 西安 710048:2.西安理工大学机仪学院,陕西 西安 710048) | |||||||||
关键词:硅芯炉; 工艺特点; 机械结构; 电气控制 中图分类号:TF806.9 文献标识码:A文章编号:1004-4507(2005)08-0007-03 多晶硅是单晶硅生产企业必不可少的主要原料,而硅芯是多晶硅生产过程中生长多晶的载体。随着多晶硅行业的快速发展,国内原有的硅芯生产设备,已远不能满足多晶硅生产企业的需要。为此,我们新近研制开发TDL-GX36新型硅芯炉,主要用于多晶硅生产过程中,多晶硅生长载体-硅芯的生产,是多晶硅生产不可缺少的主要装备之一。 在经过对硅芯晶体生长工艺及特点进行分析的基础上,采用机电一体化设计思想,设计出该硅芯晶体生长设备。本设备配有晶体提拉、旋转自动控制及籽晶托盘控制系统,自动化程度高,运行可靠,操作方便,是一种理想的生长硅芯晶体设备。 1 硅芯晶体生长工艺特点 硅芯晶体生长一般采用垂直区熔法。原料棒固定在下轴上,籽晶装在上轴,上下轴同轴心。用高频感应线圈在氩气气氛中加热,使原料棒的顶部和在其上部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴,随着硅芯晶体的不断生长,硅芯晶体向上作慢速提拉,与此同时,原料棒以与之匹配的速度向上作慢速移动,需要时原料棒可转动。硅芯晶体生长简图如所示。 设备工作时,先对设备进行抽空,等炉内真空度≤3Pa时,切断抽空,然后充以氩气保护气氛,加热料棒,晶体生长开始。在硅芯晶体的生长过程中,充气、排气一直在进行,以保证硅芯晶体的纯度;拉晶开始、结束及更换籽晶卡头需要上、下轴有快速移动功能;硅芯晶体长(本例2100mm);装一根原料棒拉制6根硅芯晶体。 从以上硅芯晶体的生长过程可以看出,设备应具备以下条件: (1)上轴慢速提拉运动(工作速度),拉速0.5-60 mm/min: 2 硅芯晶体生长炉总体设计 按照硅芯晶体生长条件,该设备由3大部分组成:机械部分、电气控制部分及高频电源部分。本设备机械部分由底座、下轴升降及旋转机构、炉室、过渡副室、籽晶托盘及机头、硅芯提升机构、真空系统、充气系统、水路、摄像头等部分构成。主机结构简图如所示。下面主要介绍设备的几个重要组成部分。 2.1 真空炉室及过渡副室 炉室是设备中晶体生长的工作问,置于底座上平面。按照硅芯生长要求,下轴通过密封从炉体下端进入炉内,籽晶从炉体顶部向下进入炉内,其结构见,炉室下半部分为双层水冷结构,上半部分不带水冷,上、下部分都开有炉门,炉门上设有观察窗,便于观察拉晶状况;另外炉体上设有高频线圈接口、拨叉口、后视镜口、摄像口、上下充气口、真空抽口、压力表口、及水咀接口,以满足硅芯炉工作各功能要求,使设备操作更加便利。炉室各处需密封可靠。 过渡副室起承上启下及限位的作用。下面与炉室相连,上面装有硅芯提拉机构。在过渡副室上设有限位口及观察窗口,与炉室相通,需要密封可靠。 2.2 下轴升降旋转机构 下轴升降旋转机构运动工况。该机构需具有下轴快速升降、慢速升降及下轴旋转功能。整个下轴运动机构正常工作时运行在低速轻载情况下,连续工作;运行时应平稳,无振动,无爬行。 为了满足下轴升降旋转机构的使用要求,本例采用直流伺服电机蜗轮减速机驱动,滚动导轨、滚珠丝杠等精密传动元件传动,可在一定的范围内进行无级调速,运行平稳可靠。下轴运动框图如所示。 2.3 籽晶托盘及控制系统 硅芯晶体直径一般为8~10mm,细而长,一根原料棒可生长6根硅芯棒,这样就省去了每生长一根硅芯晶体后,开炉、抽空、准备的时间,既提高了效率,又提高了设备的利用率。这给设计带来了难度,关键难点是怎样在不开炉的状况下自如地卸放硅芯晶体,抓取籽晶。为此设计了如所示籽晶转盘,籽晶转盘上有5个工位,与拉晶位一共有6个工位。工作时,在拉晶位生长好一根硅芯后,转盘在步进电机的驱动下,转盘的硅芯放置位旋转至拉晶位,卸下硅芯棒,转盘的下一个籽晶工位旋转至拉晶位,抓取籽晶,然后开始下一个硅芯棒的生长,直至生长6根硅芯棒后,开炉取出硅芯棒,完成一炉硅芯的生长过程。 2.4 硅芯提升机构 由于硅芯晶体棒细而长,为了降低设备高度,提升机构采用卷轮箱软轴结构。籽晶提升运动分为籽晶快速和籽晶慢速。正常拉晶时用籽晶慢速,卸放、抓取操作及调整位置等采用籽晶快速。运动工况低速轻载,连续工作;运行时应平稳,无振动,无爬行。 按照使用要求设计的硅芯提升机构运动系统为:由直流伺服电机系统经过精密的蜗轮蜗杆减速器带动卷轮,卷轮通过滚动花键传递扭矩并承担支承。卷轮由牵引螺纹螺母套实现平移,从而保证卷绕软轴钢丝始终在对中位置。卷轮的平移又带动限位杆,实现软轴的极限限位,以保护提升机构不受损害。卷轮联有光电编码器,可以显示硅芯生长长度。硅芯提升机构运动框图如所示。 2.5 真空系统、充气系统及水路 该设备是在气氛下进行运作。从气源来的气氛通过手动针阀流量计分成两路,一路通过手动针阀从炉 室下部进入炉室,另一路通过手动针阀从炉室上部进入炉室,再从炉室另一侧通过手动针阀排出。炉室上装有压力表,显示炉内压力。充气系统图如所示。 设备工作时先抽空,真空度达到要求后方可进 行下一步操作,真空度≤3 Pa属于中真空,采用直连旋片泵即可,设备各处需密封状况良好。 由于设备采用高频感应加热,工作时各处人可接触的地方温度不应超过50℃,为此炉室必须设计水冷却,另外密封处温度高的地方也必须有水冷却系统。 3 设备电气控制系统设计 3.1 高的速度控制方式 由于生产工艺和操作可靠性的需要,该设备需要很高的控速,因而需要采用速度闭环控制的调速系统。包括上、下轴慢速控制和下轴旋转控制系统,控制方式基本上都相同,均采用美国雷赛公司的PWM伺服电机。速度控制系统框如所示。 3.2 高的籽晶托盘定位控制系统 本设备采用单片机控制步进电机系统来对籽晶托盘进行定位控制。系统组成:电源系统、单片机籽晶托盘控制系统、步进电机控制器及步进电机。(如所示) 单片机采用ATMEL公司的AT89S8252芯片,该芯片内置有8KB的可重复编程的FLASH和2KB的EEPROM数据区;显示采用MAXIM公司的MAX7219,该芯片可以直接驱动八位七段数码管。单片机控制系统框图如所示。 用户可通过面板进行籽晶托盘的旋转操作,可走一步(前走一步或后退一步),也可走过一个工位(在运动期间可以暂时停下),操作过程中有相应指示。 用户还可以通过面板进行各个工位位置数据的重设定操作(进行编程工作)。 4 结束语 按照硅芯晶体生长炉的生产工艺要求及特点,我们研制开发了新型TDL-GX36硅芯晶体生长设备,它是多晶硅原材料生产的前沿设备,随着半导体材料硅单晶需求的大幅上升,必将受到硅单晶生产企业的极大欢迎。 |
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