化学机械抛光（CMP）

时间：2007-04-29

终的抛光步骤是一个化学腐蚀和机械磨擦的结合。晶圆装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转。抛光垫材料通常是有填充物的聚亚安酯铸件切片或聚氨酯涂层的无纺布。二氧化硅抛光液悬浮在适度的含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上。
碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。抛光垫机以持续的机械磨擦作用去除氧化物，晶圆表面的高点被去除掉，直到获得特别平整的表面。如果一个半导体晶圆的表面扩大到10000英尺（飞机场跑道的长度），在总长度中将会有正负2英寸的平整度偏差。
获得极好平整度需要规格和控制抛光时间、晶圆和抛光垫上的压力、旋转速度、抛光液颗粒尺寸、抛光液流速、抛光液的PH值、抛光垫材料和条件。
化学机械抛光是业界发展起来的制造大直径晶圆的技术之一。在晶圆制造工艺中，新层的建立会产生不平的表面，使用CMP以平整晶体表面。在这个应用中，CMP被翻译成化学机械平面化（Planarization）。具体CMP使用的解释在12章。

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