今天，
OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高
电子迁移率氮化镓
晶体管(GaN-HEMT)。这种
晶体管的使用，将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。
GaN-HEMT拥有3-10W/mm的高输出功率密度，是传统增强型伪同晶高电子迁移率砷化镓晶体管(GaAs-HEMT)的十倍，从而使得晶体管尺寸大大减小。就以前的一般情况而言，电功率总是与多枚晶体管结合在一起接收高输出的，然而，内嵌GaN-HEMT后，每枚晶体管的输出功率变大了，使用的晶体管数目自然就变少了，从而传输电路以及外围电路的尺寸也相应减少了。
GaN-HEMT能承受的电压量是GaAs-HEMT的3到5倍。从另外一个角度来看，因为工作电流降低了1/3-1/5，使得外围设备上的能耗也减少了，整个电路的能耗也就降低了。
OKI公司成功研制了工作于7.8W/mm高输出功率密度的GaN-HEMT样品，其饱和功率达到了50.2W，更重要的是其体积仅仅是同类产品的1/9。此外，其邻信道泄漏功率比（ACPR）（
功率晶体管的性能指标之一）达到了-55dBC的低指数，是3G移动电话基站标准所规定的信号幅度的1/10。
OKI计划测试成功后于2006年初试销该产品，并于2006年下半年开始大批量生产。OKI的目标是，到2008年，在全世界范围内成功开拓30%的GaN高频功率设备市场。
