半导体磁敏元件

基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中,半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。这类器件的优点是结构简单,体积小,易于集成化,耐冲击,频响宽(从直流到微波),动态范围大,而且可以实现无接触检测,不存在磨损,抗污染,不产生火花,使用安全,寿命长,因此它在测量技术、自动控制和信息处理等方面有广泛的应用。

简介

基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中,半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。这类器件的优点是结构简单,体积小,易于集成化,耐冲击,频响宽(从直流到微波),动态范围大,而且可以实现无接触检测,不存在磨损,抗污染,不产生火花,使用安全,寿命长,因此它在测量技术、自动控制和信息处理等方面有广泛的应用。

各类原件

霍耳元件

霍耳元件  在半导体霍耳片(图1)的长度方向通入控制电流I,在平面法线方向外加磁场B,于是电 子在磁场中受洛伦兹力,而向宽度方向偏移,因此在霍耳片两侧分别积累正负电荷并沿宽度方向产生霍耳电场。这一电场对电子产生的力阻止电子偏移。当电场力fE与洛伦兹力fL相平衡时,霍耳输出端电荷积累达到平衡,这就是霍耳效应。当磁感应强度B方向与霍耳片平面法线夹角为θ时,霍耳电压V=KIBcosθ,其中K 为霍耳元件灵敏度。当载流子为空穴时,它与电子运动方向相反,而洛伦兹力方向相同,所以产生的霍耳电压极性相反。霍耳元件主要用于磁场、转速、微小位移、加速度等的测量,是放音磁头、磁接近开关、同步传动装置、无刷直流电机、函数发生器、运算器、功率计、调制器、解调器、频谱分析、回转器、隔离器中的重要器件。 半导体磁敏元件

霍耳集成电路

霍耳集成电路  利用硅集成电路工艺把霍耳元件和功能线路集成在同一硅片上制成的磁敏器件,分为霍耳开关集成电路和霍耳线性集成电路。霍耳开关集成电路由霍耳元件、差分放大器、施密特触发器和输出级四个环节组成。它可靠性高,工作频带宽(从直流到100千赫左右),温度性能好,易实现数字化,结构简单,体积小,耐冲击。它可作为无触点开关,如键盘开关,接近开关,行程开关,限位开关等,可检测带有磁钢或导磁体的物体直线运动时的位置和速度,因而能检测产品数量、液面、旋转体的角位移、角速度、风速、流速,也可用于磁头编码。

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