NTLJF4156NT1G

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：二极管（隔离式）
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25℃：70毫欧 2A,4.5V
　　漏极至源极电压(Vdss)：30V
　　电流-连续漏极(Id) 25℃：2.5A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：1V 250μA
　　闸电荷(Qg) Vgs：6.5nC 4.5V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：427pF 15V
　　功率-最大：710mW
　　安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：6-VDFN
　　包装：带卷(TR)
　　供应商设备封装：6-TDFN
　　其它名称：NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR

特性

• 　　WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
  　　共封装MOSFET和肖特基，便于电路布局
  　　RDS（开启）额定电压为低VGS（开启）电平，VGS=1.5 V
  　　薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
  　　低VF肖特基
  　　这是一个无铅设备

•