CMOS电平

介绍

在CMOS电子设备中，CMOS电平被定义为逻辑“0”和“1”的电压门限。它们可以通过连接p型或n型场效应管组成的电压分压器网络来实现，这些场效应管通常会在静态工作区域能够提供极低电流。

锁定效应

在某些情况下，CMOS电路可能会出现锁定现象。在CMOS电路中，由于不完美匹配和工艺变异等因素，可能存在门限电压产生微小的差异，导致逻辑电平无法稳定地切换。

这种现象被称为锁定效应，它会导致电路处于一种稳定的状态，并阻止逻辑电平的变化。要解决这个问题，可以采用多种方法，例如使用加强型场效应管、匹配门限电压或增加电容等措施。

标准

CMOS电路中通常使用的两种CMOS电平标准分别为 TTL（Transistor–Transistor Logic）和CMOS。

TTL标准规定了逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和5V。而CMOS标准则规定逻辑“0”和“1”的电平分别为0V和高电平，一般在0.7V~1.5V之间。

由于CMOS电平标准具有低功耗、高噪声容限等特点，因此在数字集成电路和模拟电路中得到了广泛的应用。