MMSZ27T1G

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V)：25.650

齐纳击穿电压Vz典型值(V)：27

齐纳击穿电压Vz最大值(V)：28.350

@Izt(mA)：5

齐纳阻抗Zzt(Ω)：80

最大功率PMax(W)：0.500

芯片标识：Y1

封装/温度(℃)：SOD123/-55~150

资料