独石电容器也叫片式多层瓷介电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体。
简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极,基本结构如下:
因此,多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构,简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。
我国自八十年代从美国引进独石电容的生产线以来,至今已有十多年的生产经验。在生产工艺的某些方面,比如低烧独石电容器的生产、研究,已取得了不小的成绩。介质层数在150层以下的常规产品的电性能及可靠性,已与世界先进国家的水平相差无几。只是在更高层数、更高耐压、高可靠的产品性能方面同世界先进国家还存在一定的差距。
独石电容的整个生产工艺过程是一个十分复杂的过程,其对生产环境,生产设备的精度,原材料的选取都有十分苛刻的要求,我们流延成膜与丝网印刷工作间的洁净度一般控制在3000左右,水平。
生产工艺流程:
一类为温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显着,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。
独石电容比一般瓷介电容器大(10pF~10μF),且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温,绝缘性好,成本低等优点。
独石电容的特点:温度特性好,频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律,独石电容下降比较少,容量比较稳定。
1、 储能交换
这是独石电容最基本的功用,主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类独石电容为主,在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容和钽电解电容。
2、 隔直通交(旁路与耦合)
由于独石电容并非是一个导通体,它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象,因此,在电路中它可以同其它元件并联,使交流通过,而直流被阻隔下来,起到旁路的作用。
在交流电路中,独石电容跟随输入信号的极性变化而进行充放电,从而使连接独石电容两端的电路表现导通的状态,起到耦合的作用。
一般说来,与放大器或运放输入端相联独石电容的为耦合独石电容;与放大器或运放发射极相联的独石电容为旁路独石电容。
两者均以Ⅱ类独石电容为主,特别是0.1uF的电容居多。
3、 鉴频滤波
在交流电路中,对于一个多频率混合的信号,我们可以用独石电容将其部分分开,一般来说,我们可以使用一个合理电容量的独石电容将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频独石电容为主。
4、 浪涌电压的抑制
由于独石电容是一个储能元件,因此,在电路中,它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号,也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。滤波主要以高频产品为主。
独石电容除有电容器 “隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,独石电容也以惊人的速度向前发展,每年以10[%]~15[%]的速度递增。目前,世界片式电容的需求量在 2000亿支以上,70[%]出自日本,其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。