STM32F429ZGT6器件基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。 Cortex-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU），可增强应用程序的安全性。
STM32F429ZGT6器件集成了高速嵌入式存储器（闪存高达2 Mbyte，高达256 KB的SRAM），高达4 KB的备份SRAM，以及连接到两个APB的各种增强型I / O和外设总线，两条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
所有器件均提供三个12位ADC，两个DAC，一个低功耗RTC，十二个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。
产品分类：32位MCU微控制器 单片机/ARM/DSP
CPU内核：ARM?Cortex?-M4
核心尺寸：32-位
主频速度（Max）：180MHz
连接性：CAN，EBI/EMI，I?C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USBOTG
外设：欠压检测/复位，DMA，I?S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O口总数：114
程序空间容量：1MB（1Mx8）
程序空间类型：闪存
EEPROM容量：None
内存RAM容量：256Kx8
工作电压（范围）：1.8V~3.6V
工作温度：-40°C~85°C（TA）
封装/外壳：144-LQFP
核心：带有FPU的Arm?32位Cortex?-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存执行0等待状态，频率高达180 MHz，MPU，225 DMIPS / 1.25 DMIPS / MHz （Dhrystone 2.1）和DSP指令
高达2 MB的闪存被组织成两个存储区，允许读写时
高达256 + 4 KB的SRAM，包括64 KB的CCM（核心耦合存储器）数据RAM
灵活的外部存储器控制器，具有高达32位的数据总线：SRAM，PSRAM，SDRAM / LPSDR SDRAM，紧凑型闪存/ NOR / NAND存储器
LCD并行接口，8080/6800模式
LCD-TFT控制器，具有完全可编程的分辨率（总宽度高达4096像素，总高度高达2048线，像素时钟高达83 MHz）
Chrom-ART Accelerator?用于增强图形内容创建（DMA2D）
时钟，复位和电源管理
1.7 V至3.6 V应用电源和I / O.
POR，PDR，PVD和BOR
4至26 MHz晶体振荡器
内部16 MHz工厂调整RC（1％精度）
用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能
内部32 kHz RC，带校准
睡眠，停止和待机模式
VBAT提供RTC，20×32位备份寄存器+可选4 KB备份SRAM
3×12位，2.4 MSPS ADC：三重交错模式下最多24个通道和7.2 MSPS
2×12位D / A转换器
通用DMA：具有FIFO和突发支持的16流DMA控制器
最多17个定时器：最多12个16位和2个32位定时器，最高180 MHz，每个定时器最多4个IC / OC / PWM或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入
调试模式：STM32F429ZGT6
SWD和JTAG接口
Cortex-M4 Trace Macrocell?
最多168个具有中断功能的I / O端口
最多164个快速I / O，最高可达90 MHz
最多166个5 V容差I / O.
最多21个通信接口
最多3个I2C接口（SMBus / PMBus）
最多4个USART / 4个UART（11.25 Mbit / s，ISO7816接口，LIN，IrDA，调制解调器控制）
最多6个SPI（45 Mbits / s），2个具有多路复用全双工I2S，通过内部音频PLL或外部时钟实现音频级精度
1个SAI（串行音频接口）
2×CAN（2.0B有源）和SDIO接口
高级连接
具有片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/ OTG控制器
USB 2.0高速/全速设备/主机/ OTG控制器，带有专用DMA，片上全速PHY和ULPI
具有专用DMA的10/100以太网MAC：支持IEEE 1588v2硬件，MII / RMII
8至14位并行相机接口，最高54 MB / s
真随机数发生器
CRC计算单元
RTC：亚秒级精度，硬件日历
96位唯一ID
