FNK6A|MOSFET适合用于作为电池保护

　　乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术领先。

　　FNK6A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。

　　一般特点
　　●VDS=20V,ID=4A
　　<27mΩ的RDS（on）@ VGS= 2.5V
　　RDS（ON）<22MΩ@ VGS= 4.5V
　　●高功率和电流移交能力
　　●无铅产品

　　●表面贴装封装

　　应用
　　●电池保护
　　●负荷开关
　　●电源管理