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产品属性
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FQPF7N65C
数据列表 | FQP7N65C, FQPF7N65C |
产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 7A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 1.4欧姆@ 3.5A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1245pF @ 25V |
功率-*大值 | 52W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
"
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
FQPF7N65C
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
UNI/一般用途
N沟道
增强型
7A
52W
650V