供应2SC3356-T1B R25/R24深圳市翼鑫电子商行

2SC3356硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。

类别：NPN-硅通用晶体管

集电*-发射*电压VCEO：12V

集电*-基*电压VCBO:20V

发射*-基*电压VEBO:3.0V

集电*直流电流IC:100mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0

直流放大系数hFE:50~300

集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

特征频率fT:7.0GHz

封装：SOT-23

功率特性：*率

*性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装

集电*允许电流：0.1（A）

集电**大允许耗散功率：0.2（W）