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概述与特点DG6N60型VDMOS晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:
·开关速度快
·输入电阻高
·热稳定性好
·驱动简单并*性高
·封装方式:TO-220
东光微
DG6N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HI-IMP/高输入阻*
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
恒泰柯功率MOSFET
mosfet型号
mosfet引脚
低压mosfet
场效功率管,2N70,DG2N70,高输入电阻,线性放大,功率开关
场效功率管,1N60,DG1N60/65,高输入电阻,低驱动电流,
DG4N60型VDMOS晶体管,4N60,线性放大,功率开关
低压MOS,HM4822
DG740型VDMOS晶体管,740,线性放大、功率开关
DG830型VDMOS晶体管,830,线性放大、功率开关
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