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概述与特点:
DG4N60型VDMOS晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:
·开关速度快
·输入电阻高
·热稳定性好
·驱动简单并*性高
·封装形式:TO-220
东光微
DG4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
2-4(V)
600(V)
0(μS)
0(pF)
0(dB)
4A(mA)
0(mW)
mosfet型号
恒泰柯功率MOSFET
mosfet引脚
mosfet场效应管
场效功率管,12N60,DG12N60/65,高输入电阻,低驱动电流,
低压MOS,HM4822
场效功率管,11N60,DG11N60/65,高输入电阻,低驱动电流,
场效功率管,1N60,DG1N60/65,高输入电阻,低驱动电流,
2N7002, 60V, 300mA, N-channel Trench Mosfet
DG830型VDMOS晶体管,830,线性放大、功率开关
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