大量供应硅NPN型平面工艺功率开关晶体管芯片1800D，量大从优

KY180D是硅NPN 型功率
开关晶体管。该产品采用平面
工艺制造，终端采用分压环结
构、ts 控制采用电子辐照技术

产品特点:

集成二*管（D)
? 稳定的击穿电压
? 可控的开关速度（ts）
? *合RoHS 指令
推荐应用：
? 封装成13003系列三*管
? *灯
? 电子镇流器
? 电子变压器

芯片尺寸 1.80mm×1.80mm
CE 之间是否集成二*管 有集成二*管（D）
芯片厚度 250&plu*n;20μm
基区键合尺寸（B)360um200μm
发射区键合尺寸（E)400um×200μm
正面金属 Al / 厚度(5.0&plu*n;0.5）μm
背面金属 Ag
硅片直径 Φ100mm
装片要求 焊料
推荐封装外形 TO-220

额定值（Ta=25℃）
特 性 * 号 额定值 单 位 备 注
集电*-基*电压 VCBO 700V
集电*-发射*电压 VCEO 400 V
发射*-基*电压 VEBO 9 V
*大集电*电流 IC 2A
耗散功率（Ta=25℃） Ptot 2W
耗散功率（Tc=25℃） Ptot 75 W
结温 Tj 150 ℃
贮存温度 Tstg -55～150
电参数（Ta=25℃）
规范值
特 性 *号 测 试 条 件
*小值 *大值
单位
集电*-基*截止电流 ICBO VCB=700V, IE=0 20 μA
集电*-发射*截止电流 ICEO VCE=400V, IB=0 50 μA
发射*-基*截止电流 IEBO VEB=9V, IC=0 10 μA
集电*-基*电压 VCBO IC=0.1mA 700 V
集电*-发射*电压 VCEO IC=1mA 400 V
发射*-基*电压 VEBO IE=0.1mA 9 V
共发射*正向电流传输比的静态值 hFE* VCE=5V, IC=0.5A 15 35
集电*-发射*饱和电压 VCEsat IC2.0A，IB=500mA 1.0V
基 *-发射*饱和电压 VBEsat IC=2.0A，IB=500mA 1.2 V
贮存时间 ts2 5 μs
下降时间 tf
UI9600，IC=0.25A
1 μs
*: 脉冲测试tp≤300μs,δ≤2%
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