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产品属性
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参数名称 | *号 | 额定值 | 单位 |
集电*-基*电压 | VCBO | 500 | V |
集电*-发射*电压 | VCEO | 400 | V |
发射*-基*电压 | VEBO | 9 | V |
集电*电流 | IC | 0.5 | A |
集电*耗散功率 | PC | 7 | W |
*高工作温度 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -65-150 | ℃ |
参数名称 | *号 | 测试条件 | *小值 | *大值 | 单位 |
集电*-基*截止电流 | ICBO | VCB=500V |
| 100 | μA |
集电*-发射*截止电流 | ICEO | VCE=400V,IB=0 |
| 250 | μA |
集电*-发射*电压 | VCEO | IC=10mA,IB=0 | 400 |
| V |
发射*-基*电压 | VEBO | IE=1mA, IC=0 | 9 |
| V |
集电*-发射*饱和电压 | VC* | IC=0.05A,IB=0.01A |
| 0.5 | V |
IC=0.1A,IB=0.021A |
| 1.0 | |||
IC=0.3A,IB=0.1A |
| 3.0 | |||
发射*-基*饱和电压 | VB* | IC=0.1A,IB=0.02A |
| 1.5 | V |
电流放大倍数 | hFE | VCE=5V,IC=1 mA | 8 |
|
|
VCE=5V,IC=20 mA | 10 | 40 |
| ||
VCE=5V,IC=200 mA | 8 |
|
| ||
贮存时间 | ts | VCC=250V,IC=5IB IB1=IB2=0.04A |
| 2.0 | μS |
下降时间 | Tr |
| 0.8 |
国产/MJE13001
高反压
N/P型
500(V)
0.5(A)
7(W)
直插型
塑料封装
硅Si
台面型