MOS管三*管场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD

数据列表 IRG4PH50KDPbF

产品相片 TO-247-3

标准包装 25
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 1200V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 3.5V @ 15V, 24A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 45A

功率 - *大 200W

输入类型标准型

安装类型通孔

封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)

供应商设备封装 TO-247AC

包装散装

其它名称 *IRG4PH50KDPBF

"

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRG4PH50K

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

*（V）

夹断电压

*（V）

跨导

*（μS）

*间电容

*（pF）

低频噪声系数

*（dB）

漏*电流

*（mA）

耗散功率

*（mW）

MOS管 三*管 场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD

MOS管三*管场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD