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产品属性
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数据列表 IRF620
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 3.1A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.2A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 260pF @ 25V
功率 - *大 50W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
ST/意法
IRF620
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
*(V)
*(V)
*(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
*(mW)
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