MOS管三*管场效应 IRG4PC30KD IRG4PC30

数据列表 IRG4PC30KDPbF

产品相片 TO-247-3

产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC

标准包装 25
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 2.7V @ 15V, 16A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 28A

功率 - *大 100W

输入类型标准型

安装类型通孔

封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)

供应商设备封装 TO-247AC

包装散装

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRG4PC30KD

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

*（V）

夹断电压

*（V）

跨导

*（μS）

*间电容

**（pF）

低频噪声系数

*（dB）

漏*电流

*（mA）

耗散功率

*（mW）

MOS管 三*管 场效应 IRG4PC30KD IRG4PC30

MOS管三*管场效应 IRG4PC30KD IRG4PC30