MOS管 三*管 场效应IRFIB*0G IRFIBC30GPBF IRFIBC30G

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

数据列表 IRFIBC30G
 
产品相片 TO-220AB
 
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 2.5A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  660pF @ 25V
 
功率 - *大 35W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
 
供应商设备封装 TO-220-3
 
包装 管件
 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFIBC30G

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

*(mW)