MOS管 三*管 场效应IRFIB5N65A IRFIB5N65APbF

数据列表 IRFIB5N65APbF
 
产品相片 TO-220AB
 
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 930 毫欧 @ 3.1A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 650V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.1A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 48nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1417pF @ 25V
 
功率 - *大 60W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
 
供应商设备封装 TO-220-3
 
包装 管件