MOS管 三*管 场效应 BD242FP

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

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数据列表 BD242/A/B/C
 
产品相片 TO-220-3 Pkg
 
产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
 
标准包装 200
类别 分离式半导体产品 
家庭 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
晶体管类型 PNP
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 3A
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 80V
 
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大) 1.2V @ 600mA, 3A
 
电流 - 集电*截止(*大) 300µA
 
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V
 
功率 - *大 40W
 
频率 - 转换 -
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220
 
包装 散装
 

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

BD242FP

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

*(mW)