MOS管 三*管 场效应 FQU7P20

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

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数据列表 FQD7P20, FQU7P20
 
产品相片 DPAK_369D−01
 
产品变化通告 Lead Dimension Change 23/Jan/2007
 
标准包装 5,040
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 QFET™
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 690 毫欧 @ 2.85A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.7A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  770pF @ 25V
 
功率 - *大 2.5W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
 
供应商设备封装 I-Pak
 
包装 管件
 

"
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQU7P20

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

*(mW)