MOS管 三*管 场效应IRFIB7N50A IRFIB7N50APBF IRFIB7N50

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

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产品相片 TO-220AB
 
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 4A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 500V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 6.6A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1423pF @ 25V
 
功率 - *大 60W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
 
供应商设备封装 TO-220-3
 
包装 管件
 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFIB7N50A

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

*(mW)