MOS管 三*管 场效应IRFR110 IRFR110PBF IRFR110N IRFR110A

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

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数据列表 IRFR110, SiHRF110
 
产品相片 TO-252-2
 
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 540 毫欧 @ 2.6A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 4.3A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  180pF @ 25V
 
功率 - *大 2.5W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
 
供应商设备封装 D-Pak
 
包装 带卷 (TR)
 
 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR110

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

*(mW)