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产品属性
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数据列表 IRFR110, SiHRF110
产品相片 TO-252-2
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 540 毫欧 @ 2.6A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 4.3A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF @ 25V
功率 - *大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
IR/国际整流器
IRFR110
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
*(V)
*(V)
*(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
*(mW)
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