原厂供应*结MOS管 场效应管NCE08N65 650V/7.8A

地区:江苏 无锡
认证:

结型场效应管 无锡新洁能功率半导体有限公司

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    产品特征:卓越的功率转换效率 

   *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A 

    *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOMRon*Qg)

   卓越的Eas能力(100%Eas测试) 

 

   产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗

  适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄

 照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率

  消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更*效

  Vds=650VId=7.8A 

  RDS(ON)<600mΩ @Vgs=10V  (T*:540mΩ)注:@的条件下    

  封装:NCE08N65D为TO-263  NCE08N65为TO-220  NCE08N65F为TO-220F



































 

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品牌/商标

NCE

型号/规格

NCE08N65/F/D

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5-3.5(V)

夹断电压

大于650(V)

*间电容

910(pF)