原厂供应*结MOS管 场效应管NCE08N65I/K 650V/7.8A
地区:江苏 无锡
认证:
无
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产品属性
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产品特征:卓越的功率转换效率
*低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A)
*低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM(Ron*Qg)
卓越的Eas能力(100%Eas测试)
产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗
适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄
照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率
消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更*效
Vds=650V;Id=7.8A ; RDS(ON)<600mΩ @Vgs=10V (T*:540mΩ)
注:@在…的条件下 封装:NCE08N65I为TO-251 NCE08N65K为TO-252
NCE
NCE08N65I/K
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
N-FET硅N沟道
2.5-3.5(V)
大于650(V)
910(pF)