产品详情

现货**童FDP038AN06A0

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220AB 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:60 V 
Continuous Drain Current:17 A 
Power Dissipation:310000 mW 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.0038 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:60 ns 
T*ical Rise Time:144 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:34 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 20 V 
Maximum Operating Temperature:175 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET
"
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FDP038AN06A0

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）