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现货**童FDB035AN06A0

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant by Exemption Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-263AB 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:60 V 
Continuous Drain Current:22 A 
Power Dissipation:310000 mW 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.0032 Ohms @ 10 V 
T*ical Fall Time:13 ns 
T*ical Rise Time:93 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:38 ns 
Packaging:Reel 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 20 V 
Maximum Operating Temperature:175 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FDB035AN06A0

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）