NCE65T360结型场效应管参数

　　结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g(G)，N型硅的一端是漏极d(D)，另一端是源极s(S)。

　　NCE65T360结型场效应管采用了先进的沟道栅超结技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。这种超级结MOSFET适合工业交流-直流SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的要求。

　　NCE65T360结型场效应管特性：

　　高压器件新技术

　　低导通电阻，低导通损耗

　　小包装

　　极低的门电荷降低了驱动要求

　　100%雪崩测试

　　通过无铅认证

　　NCE65T360结型场效应管应用程序：

　　功率因数校正(PFC)

　　开关电源(SMPS)

　　不间断电源(UPS)

　　绝对最大额定值(TC=25℃)：

　　漏源电压(vg=0v)：650v

　　栅源电压(VDS=0v),AC(f>1hz)：±30v

　　在TC=25°C：连续漏电流11.5A

　　连续漏电流在TC=100°C：7A

　　脉冲漏极电流：46A

　　最大功耗(TC=25℃)以上减免25°C：101ww/0.81℃

　　单脉冲雪崩能量：144mj

　　雪崩电流：6

　　重复的雪崩能量,焦油Tjmax限制：0.5mj

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。