IR*原装场效应管 IRFP150N IRFP150NPBF 墨西哥MEXICO产地

IR*原装场效应管 IRFP150N   IRFP150NPBF 墨西哥MEXICO产地

IR*原装场效应管 IRFP150N   IRFP150NPBF 墨西哥MEXICO产地

IRFP150N   IRFP150NPBF产品规格  参数

数据列表 IRFP150NPbF
 
产品相片 TO-247-3
 
产品目录绘图 IR Hexfet TO-247AC
 
标准包装 350
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 42A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 36 毫欧 @ 23A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1900pF @ 25V
 
功率 - *大 160W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRFP150NPBF
 
 

8:25:48 1/20/2012 - 寻求协助