INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3  SPA11N80C3

INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3  SPA11N80C3

11N80C3  SPA11N80C3产品规格 参数

数据列表 SPA11N80C3
 
产品相片 TO-220AB Full-Pak
 
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
 
产品目录绘图 Mosfets TO-220FP
 
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 800V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 11A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 450 毫欧 @ 7.1A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 3.9V @ 680µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1600pF @ 100V
 
功率 - *大 41W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 PG-TO220-FP
 
包装 管件
 
产品目录页面 1615 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 SP
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND
 

品牌

INFINEON/英飞凌

型号

11N80C3 SPA11N80C3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

222(mA)

耗散功率

22(mW)