DIOD**原装场效应 *R2060*FP

地区:广东 深圳
认证:

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DIOD**原装场效应 *R2060*FP

 

DIOD**原装场效应 *R2060*FP

 

 

*R2060*FP产品规格  参数  PDF

 

Datasheets *R2060*(FP)
Product Photos AOT3N50
Product Training Modules Super Barrier Rectifier (*R®)
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family Diodes, Rectifiers - Arrays
Series *R®
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 500µA @ 60V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Reverse Recovery Time (trr) -
Diode T*e Super Barrier
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Isolated Tab
Supplier Device Package ITO-220AB
Packaging Tube
Other Names *R2060*FPDI

 

品牌

DIOD*/美台

型号

*R2060*FP

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

M*金属半导体

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)