【INFINEON英飞凌】 SPW24N60C3 原装场效应管/插件场效应管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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INFINEON英飞凌MOS管产品图片







INFINEON英飞凌MOS管产品介绍
英飞凌infineon(EUPEC)IGBT模块和单管
DN2系列
BSM50GB120DN2,BSM100GB120DN2K,
 S4系列
FF100R12KS4,FF150R12KS4,FF200R12KS4,FF300R12KS4,FZ400R12KS4,FZ600R12KS4
F4系列
F4-50R12MS4,F4-75R12MS4,
KT3/4系列
FF75R12RT4,FF100R12RT4,FF150R12RT4,FF200R12KT4,FF300R12KT4,FF450R12KT4,FF150R12KT3G,FF200R12KT3,FF400R12KT3
H管系列
IHW15N120R3,IHW20N120R3,IHW25N120R3,IHW30N160R2,IHW40T120,IHY15N120R3,IHY20N120R3,IHW30N90R
MOSFET管
SPA11N60C3,SPA20N60C3,SPA11N80C3,SPW20N60C3,SPW47N60C3,SPP07N60C3,SPP15N60C3,SPP20N60C3,SPP11N80C3,IPW60R045CP,SPW17N80C3,SPD04N60C3, SPD07N60C3,SPW24N60C3,SPW35N60C3,SPA12N50C3,SPA17N80C3,IPB065N06L G,IPB081N06L3 G...
INFINEON英飞凌MOS管产品质量

新年份,*原装,*无铅;散新拆机包测,质量问题包退换
制造商:  Infineon   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.1 Ohms   
 
汲*/源*击穿电压:  650 V   
 
闸/源击穿电压:  /- 20 V   
 
漏*连续电流:  34.6 A   
 
功率耗散:  313 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-247   
 
封装:  Tube   
 
下降时间:  10 ns  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
上升时间:  5 ns  
 
标准包装数量:  240  
 
*件号别名:  SPW35N60C3XK 
 

 

联系方式

联系地址:广东省 深圳市华强北电子/汕头贵屿华美村华星路

联系:

传真号码:

腾讯

 

公司简介

公司长期供应电子元器件,*为工厂,外贸提供配套服务,*客户的工作效率及降低客户缺货或者*的风险.

品牌

INFINEON/英飞凌

型号

SPW24N60C3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

33(V)

夹断电压

33(V)

跨导

33(μS)

*间电容

33(pF)

低频噪声系数

33(dB)

漏*电流

33(mA)

耗散功率

33(mW)